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| Artikelnummer | NTLJD2105LTBG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 520mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Auf Lager: 9000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Auf Lager: 15000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Auf Lager: 0
