ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ NTLJD2105LTBG

ON Semiconductor NTLJD2105LTBG

部品番号
NTLJD2105LTBG
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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製品パラメータ
部品番号 NTLJD2105LTBG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 8V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.5A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 520mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-WDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ 6-WDFN (2x2)
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RFQ 0.12481/pcs
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