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| Artikelnummer | IRLD120 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paket / Fall | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Hersteller: OSRAM Opto Semiconductors Inc.
Beschreibung: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
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Hersteller: TDK Corporation
Beschreibung: SHEET FERRITE 200X200MM
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Hersteller: TDK Corporation
Beschreibung: SHEET FERRITE 200X300MM
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Hersteller: TDK Corporation
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