ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IRLD120

Vishay Siliconix IRLD120

部品番号
IRLD120
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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製品パラメータ
部品番号 IRLD120
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.3A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4V, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 490pF @ 25V
Vgs(最大) ±10V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 270 mOhm @ 780mA, 5V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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