Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3

Artikelnummer
SI7212DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer SI7212DN-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
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