Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3

Número da peça
SI7212DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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 Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça SI7212DN-T1-GE3
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 1.3W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® 1212-8 Dual
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