Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SIHP12N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHP12N60E-GE3

Artikelnummer
SIHP12N60E-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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    1.07665/pcs

  • 500 pcs

    0.83738/pcs

  • 1,000 pcs

    0.69383/pcs
Gesamt:1.41000/pcs Unit Price:
1.41000/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer SIHP12N60E-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 147W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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