Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SIHP12N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHP12N60E-GE3

Numero di parte
SIHP12N60E-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 2492 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    1.41000/pcs

  • 10 pcs

    1.34000/pcs

  • 100 pcs

    1.07665/pcs

  • 500 pcs

    0.83738/pcs

  • 1,000 pcs

    0.69383/pcs
Totale:1.41000/pcs Unit Price:
1.41000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SIHP12N60E-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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