Diodes Incorporated DMN1029UFDB-7

Numero de parte: DMN1029UFDB-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Diodes Incorporated

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Parámetro del producto

Numero de parte	DMN1029UFDB-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	914pF @ 6V
Potencia - Max	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (Type B)