Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays DMN1029UFDB-7

Diodes Incorporated DMN1029UFDB-7

Número da peça
DMN1029UFDB-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.07115/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça DMN1029UFDB-7
Status da Parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V
Power - Max 1.4W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos de fornecedores U-DFN2020-6 (Type B)
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