Numero de parte | BCR185WE6327BTSA1 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 10k |
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 47k |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - Max | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT323-3 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3
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