Numero di parte | BCR185WE6327BTSA1 |
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Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistore - Base (R1) (Ohm) | 10k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 47k |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3
Disponibile: 0