GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247

Osa numero: GA10JT12-247
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: TRANS SJT 1.2KV 10A
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

GeneSiC Semiconductor

genesic is a pioneer and a world leader in silicon carbide technology, while also invested in high power silicon technologies. the global leading manufacturers of industrial and defense systems depend on genesic's technology to elevate the performance and efficiency of their products.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
10.47500/pcs
10 pcs
9.97700/pcs
25 pcs
9.22860/pcs
100 pcs
8.48025/pcs
250 pcs
7.73200/pcs

Kaikki yhteensä:10.47500/pcs

Unit Price:

10.47500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	GA10JT12-247
Osan tila	Active
FET-tyyppi	-
tekniikka	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
Käyttölämpötila	175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	TO-247AB
Pakkaus / kotelo	TO-247-3