ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル GA10JT12-247

GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247

部品番号
GA10JT12-247
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 1.2KV 10A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    10.47500/pcs
  • 10 pcs

    9.97700/pcs
  • 25 pcs

    9.22860/pcs
  • 100 pcs

    8.48025/pcs
  • 250 pcs

    7.73200/pcs
合計:10.47500/pcs Unit Price:
10.47500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 GA10JT12-247
部品ステータス Active
FETタイプ -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) 170W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 140 mOhm @ 10A
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AB
パッケージ/ケース TO-247-3
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