Numéro d'article | DMN33D8LDW-7 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Standard |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 250mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 48pF @ 5V |
Puissance - Max | 350mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package de périphérique fournisseur | SOT-363 |
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
En stock: 1626000
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
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Fabricant: Diodes Incorporated
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
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Fabricant: Diodes Incorporated
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
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