Diodes Incorporated DMN33D8LDW-7

Numero di parte: DMN33D8LDW-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMN33D8LDW-7
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V
Potenza - Max	350mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-363