Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices DMN66D0LDW-7

Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7

Numéro d'article
DMN66D0LDW-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.12032/pcs
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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article DMN66D0LDW-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
Puissance - Max 250mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363
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