Número da peça | DMN66D0LDW-7 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 115mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 115mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
Power - Max | 250mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-363 |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Em estoque: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Em estoque: 2000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Em estoque: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Em estoque: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Em estoque: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Em estoque: 6000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Em estoque: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Em estoque: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Em estoque: 18000