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| Numéro d'article | APTGFQ25H120T2G |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | NPT and Fieldstop |
| Configuration | Full Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40A |
| Puissance - Max | 227W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 2.02nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | SP2 |
| Package de périphérique fournisseur | SP2 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 130A 735W SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 135A 568W SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
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