Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGFQ25H120T2G

Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G

Artikelnummer
APTGFQ25H120T2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    29.72000/pcs
  • 10 pcs

    27.97250/pcs
  • 25 pcs

    26.22420/pcs
  • 100 pcs

    25.00040/pcs
Gesamt:29.72000/pcs Unit Price:
29.72000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APTGFQ25H120T2G
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ NPT and Fieldstop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Leistung max 227W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SP2
Lieferantengerätepaket SP2
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