Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTCV60HM45RT3G

Microsemi Corporation APTCV60HM45RT3G

Numero di parte
APTCV60HM45RT3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 17 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    38.30500/pcs
  • 100 pcs

    26.59030/pcs
Totale:38.30500/pcs Unit Price:
38.30500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APTCV60HM45RT3G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Ingresso Single Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
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