ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - IGBT - モジュール APTCV60HM45RT3G

Microsemi Corporation APTCV60HM45RT3G

部品番号
APTCV60HM45RT3G
メーカー
Microsemi Corporation
説明
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • 参考価格

    （米ドル）

  • 1 pcs

    38.30500/pcs

  • 100 pcs

    26.59030/pcs
合計:38.30500/pcs Unit Price:
38.30500/pcs		 目標価格:
 量:
製品パラメータ
部品番号 APTCV60HM45RT3G
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Full Bridge Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 50A
電力 - 最大 250W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 50A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce 3.15nF @ 25V
入力 Single Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤデバイスパッケージ SP3
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