Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BSP122,115

Nexperia USA Inc. BSP122,115

Numero di parte
BSP122,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BSP122,115
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 550mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 750mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
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