Número da peça | BSP122,115 |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 550mA (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 2.4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 750mA, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-223 |
Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Em estoque: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
Em estoque: 1000
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 1000
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 0