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| 부품 번호 | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A, 2.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 422pF @ 15V |
| 전력 - 최대 | 850mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TSOT-26 |
