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| Artikelnummer | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Leistung max | 850mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Auf Lager: 130000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Auf Lager: 159000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Auf Lager: 39000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Auf Lager: 75000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
Auf Lager: 0
