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| Artikelnummer | DMG6402LVT-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 498pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.75W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Auf Lager: 130000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Auf Lager: 159000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Auf Lager: 39000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Auf Lager: 75000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
Auf Lager: 0
