provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | APT150GN60B2G |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 220A |
| Corrente - Coletor pulsado (Icm) | 450A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Power - Max | 536W |
| Mudança de energia | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do portão | 970nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 44ns/430ns |
| Condição de teste | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-247-3 Variant |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Em estoque: 21
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Em estoque: 96
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Em estoque: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Em estoque: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Em estoque: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Em estoque: 29
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Em estoque: 0
