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| Número da peça | APT150GT120JR |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 170A |
| Power - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 150µA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | ISOTOP |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Em estoque: 21
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Em estoque: 96
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Em estoque: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Em estoque: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Em estoque: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Em estoque: 29
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
Em estoque: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Em estoque: 0
