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| Número da peça | TPC8212-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Power - Max | 450mW |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOP (5.5x6.0) |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Em estoque: 0
