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| Artikelnummer | CTLDM7120-M832DS TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
| Leistung max | 1.65W |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | TLM832DS |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A
Auf Lager: 3000
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1A
Auf Lager: 3000
