Numero di parte | CTLDM7120-M832DS TR |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.65W |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | TLM832DS |
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1A
Disponibile: 3000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1A
Disponibile: 3000