global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.
| Artikelnummer | GSID200A120S3B1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 400A |
| Leistung max | 1595W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 200A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Lieferantengerätepaket | D3 |
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: SILICON IGBT MODULES
Auf Lager: 0
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 335A
Auf Lager: 9
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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES
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