Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - IGBTs - Módulos GSID200A120S3B1

Global Power Technologies Group GSID200A120S3B1

Número da peça
GSID200A120S3B1
Fabricante
Global Power Technologies Group
Descrição
SILICON IGBT MODULES
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - IGBTs - Módulos
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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    46.71250/pcs
Total:46.71250/pcs Unit Price:
46.71250/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça GSID200A120S3B1
Status da Parte Active
Tipo IGBT -
Configuração 2 Independent
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 400A
Power - Max 1595W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso D-3 Module
Pacote de dispositivos de fornecedores D3
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