Infineon Technologies SPP18P06P H

Artikelnummer: SPP18P06P H
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	SPP18P06P H
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	81.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3