Infineon Technologies SPP18P06P H

Numero di parte: SPP18P06P H
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 2445 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.67500/pcs
10 pcs
0.63300/pcs
100 pcs
0.50035/pcs
500 pcs
0.38801/pcs
1,000 pcs
0.30633/pcs

Totale:0.67500/pcs

Unit Price:

0.67500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	SPP18P06P H
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3