Artikelnummer | IXTX1R4N450HV |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 4500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 960W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 50mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247HV |
Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
Auf Lager: 89
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Auf Lager: 32
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Auf Lager: 60
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Auf Lager: 31