Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IXTX102N65X2

IXYS IXTX102N65X2

Artikelnummer
IXTX102N65X2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
IXYS

IXYS

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Gesamt:7.45500/pcs Unit Price:
7.45500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IXTX102N65X2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1040W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 51A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Fall TO-247-3
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