Numero di parte | IXTX102N65X2 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 102A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10900pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 51A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
Disponibile: 89
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Disponibile: 32
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Disponibile: 60
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
Disponibile: 31
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247
Disponibile: 0