Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXTX102N65X2

IXYS IXTX102N65X2

Numero di parte
IXTX102N65X2
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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In stock 222 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    7.45500/pcs
  • 10 pcs

    6.77600/pcs
  • 100 pcs

    5.75960/pcs
  • 500 pcs

    4.91260/pcs
Totale:7.45500/pcs Unit Price:
7.45500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXTX102N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 51A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3
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