| Artikelnummer | JANTXV1N5526BUR-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | - |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 30 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 6.8V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AA (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Auf Lager: 0