Número da peça | JANTXV1N5526BUR-1 |
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Status da Parte | Active |
Voltagem - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerância | ±5% |
Power - Max | - |
Impedância (Máx.) (Zzt) | 30 Ohm |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 100nA @ 6.8V |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | DO-213AA (Glass) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DO-213AA |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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