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| Artikelnummer | APT150GT120JR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 170A |
| Leistung max | 830W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 150µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Auf Lager: 21
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Auf Lager: 96
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Auf Lager: 19
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Auf Lager: 16
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Auf Lager: 29
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
Auf Lager: 14
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
Auf Lager: 0
