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| Numero de parte | APT150GT120JR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 170A |
| Potencia - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 150µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | ISOTOP |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 21
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 96
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
En stock: 29
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
En stock: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
