Artikelnummer | APT35GP120J |
---|---|
Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | PT |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 64A |
Leistung max | 284W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | ISOTOP |
Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
Auf Lager: 31
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
Auf Lager: 564
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
Auf Lager: 17
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
Auf Lager: 2903
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Auf Lager: 125
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
Auf Lager: 77
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
Auf Lager: 3