Numero de parte | APT35GP120J |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de IGBT | PT |
Configuración | Single |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 64A |
Potencia - Max | 284W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 250µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | ISOTOP |
Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
En stock: 2903
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3