Artikelnummer | APT75DL60HJ |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
Dioden-Typ | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 600V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 75A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 75A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 600V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Auf Lager: 16
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Auf Lager: 45
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Auf Lager: 52
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOSFET - SIC
Auf Lager: 0