Osa numero | APT75DL60HJ |
---|---|
Osan tila | Obsolete |
Diodityyppi | Single Phase |
tekniikka | Standard |
Jännite - Peak Reverse (Max) | 600V |
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 75A |
Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 2V @ 75A |
Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 250µA @ 600V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Chassis Mount |
Pakkaus / kotelo | SOT-227-4, miniBLOC |
Toimittajan laitepaketti | SOT-227 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 160A 961W TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Varastossa: 16
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 160A 961W TO264
Varastossa: 45
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Varastossa: 52
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOSFET - SIC
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOSFET - SIC
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOSFET - SIC
Varastossa: 0