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| Artikelnummer | APTDC902U601G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 90A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 90A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1800µA @ 600V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 10A 600V SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 20A 1200V SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 20A 600V SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE MODULE 600V 90A SP1
Auf Lager: 0
