provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APTDC902U601G |
|---|---|
| Osan tila | Obsolete |
| Diodin kokoonpano | 2 Independent |
| Diodityyppi | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 600V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodi) | 90A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.8V @ 90A |
| Nopeus | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 0ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 1800µA @ 600V |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -40°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | SP1 |
| Toimittajan laitepaketti | SP1 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: RECT BRIDGE 20A 1200V SP1
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: RECT BRIDGE 20A 600V SP1
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE MODULE 600V 90A SP1
Varastossa: 0
