Artikelnummer | APTGFQ25H120T2G |
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Teilstatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | NPT and Fieldstop |
Aufbau | Full Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 40A |
Leistung max | 227W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.02nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | SP2 |
Lieferantengerätepaket | SP2 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 130A 735W SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 135A 568W SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
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